Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
Страница 1 из 11
Форум » "Наноэлектроника" » Кремниевая и углеродная наноэлектроника » Фуллерен: свойства и транзисторы на его основе
Фуллерен: свойства и транзисторы на его основе
VALДата: Суббота, 29.01.2011, 17:46 | Сообщение # 1
Наноэлектронщик
Группа: Администраторы
Сообщений: 95
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Offline
Фуллерен: свойства и транзисторы на его основе

Про фуллерен сюда!

Quote
История открытия фуллерена, может быть, самая необычная из тех, что нами рассматриваются в данной публикации. В 1973 г. отечественные ученые Д.А.Бочвар и Е.Н.Гальперн опубликовали результаты квантово-химических расчетов, из которых следовало, что должна существовать устойчивая форма углерода, содержащая в молекуле 60 углеродных атомов и не имеющая никаких заместителей. В той же статье была предложена форма такой гипотетической молекулы. Выводы этой работы казались в то время совершенно фантастическими. Никто не мог себе представить, что такая молекула может существовать, и тем более – как взяться за ее получение. Эта теоретическая работа несколько опередила свое время и была вначале попросту забыта.

В 1980-х гг. астрофизические исследования позволили установить, что в спектрах некоторых звезд, так называемых «красных гигантах», обнаружены полосы, указывающие на существование чисто углеродных молекул различного размера.

В 1985 г. Г.Крото и Р.Смолли начали проводить исследования уже в «земных» условиях. Они изучали масс-спектры паров графита, полученных под ударом лазерного пучка, и обнаружили, что в спектрах есть два сигнала, интенсивность которых намного выше, чем всех остальных. Сигналы соответствовали массам 720 и 840, что указывало на существование крупных агрегатов из углеродных атомов – С60 и С70. Масс-спектры позволяют установить лишь молекулярную массу частицы и не более того, однако этого оказалось достаточно, чтобы фантазия ученых заработала. В итоге была предложена структура многогранника, собранного из пяти- и шестиугольников. Это было точное повторение структуры, предложенной 12 лет назад Бочваром.

Прикрепления: 9864064.jpg(14Kb)
 
VALДата: Суббота, 29.01.2011, 17:49 | Сообщение # 2
Наноэлектронщик
Группа: Администраторы
Сообщений: 95
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Offline
Про транзисторы на основе фуллерена http://www.nanometer.ru/2007/09/26/ofet_4531.html
Quote
Транзистор из С60 бьет все рекорды!
Исследователи из Georgia Institute of Technology (США) разработали высокопроизводительный органический полевой транзистор (OFET) на основе фуллеренов. Подвижность электронов варьируется от 2.7 до 5.0 см2•В-1•с-1 в зависимости от геометрии.

Транзисторы изготавливаются по стандартной технологии физического осаждения из паровой фазы (PVD) при комнатной температуре, что делает их совместимыми практически с любыми материалами (например, гибкими пластиками) и дает им большое преимущество по сравнению с аморфным кремнием, который обычно применяется для изготовления OFET.

Более того, транзисторы обладают отличным набором основных характеристик. Например, они имеют близкие к нулю пороговые напряжения, а отношение «включено/выключено» достигает 106.

Транзистор был получен при осаждении молекул C60 из паровой фазы в виде тонкой пленки на поверхность полимерной подложки, к которой также был подведен управляющий электрод. Электроды стока и истока осаждались на пленку С60. Такие транзисторы могут успешно применяться для создания недорогих электронных устройств на гибкой основе.

Работа была опубликована в журнале Applied Physics Letters

 
Форум » "Наноэлектроника" » Кремниевая и углеродная наноэлектроника » Фуллерен: свойства и транзисторы на его основе
Страница 1 из 11
Поиск: