Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

Меню сайта

Категории раздела

"Умная" регенерация и архитектура современных DRAM [17]	DRAM с архитектурой PIM [0]
Ассоциативные процессоры и нейроморфные чипы (на основе АЗУ) [9]	Ассоцитивная память: таксономия, архитектура и элементная база [39]
АЗУ: сервисные функциональные возможности микросхем памяти [5]	Smart and Intelligent memory dies, chips and systems [10]
Естественный и искусственный интеллект на основе Smart and Intelligent Memory [7]	Реконфигурируемые базовые кристаллы памяти [0]
Emerging Memory Devices and Chips. Элементная база памяти [57]	Memory Taxonomy. Классификация памяти [14]
Nanostore. NVM - энергонезависимая память и нанохранилища [9]	Память на основе углеродных материалов: графена, УНТ и т.д. [24]
Мемристорная память [13]	Near Data Processing (NDP), Data-Centric Systems (DCS) [9]
3D HMC + 3D Die-stacked memory. HMC - Hybrid Memory Cube [3]

Наш опрос

Статистика

Онлайн всего: 1

Гостей: 1

Пользователей: 0

Главная » Фотоальбом » "Умная" и "разумная" нанопамять и нанохранилища » Emerging Memory Devices and Chips. Элементная база памяти » 2015 Магниторезистивность-1 смол

(2015) Common magnetoresistance measurements: AMR, GMR, AHE/SHE, TMR (93 слайда презентация)
Источник: http://magnetism.eu/esm/2015/slides/tiusan-slides1.pdf