НИЯУ МИФИ
Центр превосходства «Наноструктурная электроника»
Моделирование наноконденсаторов и ЗУ
на углеродных нанотрубках
Кафедра №27
Дисциплина: КП-16
Подготовил: студент группы А04-09 Гайбура А.В
Преподаватель: доцент Лапшинский В. А.
Москва 2016-06-08
Версия 2.0
Аннотация
Данный отчет посвящен решению задачи о нахождении емкости наноконденсатора (в частности МОП-структуры) и оценке различия количества запоминающих устройств (ЗУ), выполненных на телескопических нанотрубках (в частности УНТ) и при использовании обычных элементов памяти (ЭП) на интегральных схемах, для достижения одной и той же величины памяти.
Настоящий отчет содержит 12 страниц, 2 рисунка, 4 графика, 4 источника.
Ключевые слова
Диэлектрик, плоский конденсатор, диэлектрическая проницаемость, телескопическая нанотрубка, элемент памяти, кодирование, запоминающее устройство.
Оглавление
Постановка задачи 3
Описание модели наноконденсатора 4
Анализ модели наноконденсатора 5
Описание и анализ модели ЗУ на УНТ и ИС 7
Заключение 10
Список использованной литературы 11
Постановка задачи
В данном отчете будут рассмотрены следующие задачи:
1. Найти емкость плоского конденсатора (рис. 2.3) с диоксидом кремния (SiO2) в качестве диэлектрика, при толщине диэлектрика d = 1 нм и обкладках, представляющих собой круги радиусом R0 = 10 нм. Диэлектрическую проницаемость SiO2 ε принять равной 2,825. Какую энергию имеет этот конденсатор, если зарядить его обкладки зарядами и , где - элементарный заряд электрона. Считать, что заряды распределены по обкладкам равномерно, краевыми эффектами пренебречь.
2. Оценить, насколько больше элементов памяти потребовалось бы включить в состав запоминающего устройства (ЗУ), если бы вместо элементов памяти (ЭП) с тремя состояниями на углеродных нанотрубках были бы использованы обычные ЭП современных интегральных микросхем ЗУ, например, в виде бистабильной ячейки.
Описание модели плоского конденсатора
Задачу о нахождении емкости и энергии, запасенной в конденсаторе произвольной формы, решить в общем случае невозможно. Для нахождения требуемых величин в анализе используют допущения. В случае плоского конденсатора наиболее приемлемой моделью для рассмотрения емкости и его энергии является его идеальный случай [1]:
где W – энергия, запасенная в конденсаторе, Q – суммарный заряд в конденсаторе, C – емкость конденсатора.
Анализ модели плоского конденсатора
Воспользуемся рассмотренной моделью для решения поставленной задачи:
Качественно определим зависимость энергии плоского конденсатора в зависимости от радиуса его обкладок и диэлектрической проницаемости диэлектрика.
График 1. График зависимости энергии наноконденсатора от радиуса обкладки
График 2. График зависимости энергии плоского конденсатора от его диэлектрической проницаемости
Проанализируем полученный результат. Из графика 1 можно заключить, что с уменьшением радиус обкладки конденсатора происходит резкое увеличение энергии, запасенной в конденсаторе, а при увеличении радиуса обкладки энергия стремится к нулю согласно закону [1]:
Описание и расчет модели ЗУ на УНТ и ИС
Предположим, что надо разработать видео ЗУ для записи одного кадра черно-белого изображения. Формат кадров: 640 пикселей по горизонтали и 480 пикселей по вертикали. Яркость каждой точки изображения находится в диапазоне от 0 (черный) до 80 единиц (белый) с шагом в 1 единицу (градацию) яркости.
Для сравнения, воспользуемся двумя способами кодировки информации: с помощью запоминающих устройств на основе трехслойных углеродных нанотрубок и бистабильных запоминающих устройств на интегральных схемах.
Определим количество запоминающих устройств в зависимости от состояний, которые они могут занимать, для получения изображения высокого качества 640*480 пикселей. Отметим, что для кодирования одного пикселя необходимо учитывать пределы яркости, которую может принимать один пиксель [3]. Аналитически это можно записать следующим образом:
Воспользуемся формулами (7) и (8) и оценим количество ЗУ для двууровней N2 и трехуровневой N3 логики для разрешения 1920×1080 (HDTV):
График 3. График зависимости числа ЭП от числа пикселей для различных типов элементов памяти
Заключение
Результаты моделирования позволяют заключить о том, что с уменьшением нормы конденсатора и диэлектрической проницаемости можно сохранять большие энергии в конденсаторе.
Моделирование количества ЗУ на УНТ и ИС позволяет заключить о существенном преимуществе УНТ над ИС. Во-первых, многослойная УНТ позволяет получить большее количество состояний. Во-вторых, количество запоминающих устройств на УНТ уменьшается в десятки раз с увеличением числа слоёв. В-третьих, УНТ позволяют уменьшить размеры ЗУ для получения одного и того же качества кадра.
Список использованной литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики, том 2. Электричество и магнетизм. Волны. Оптика. – М.: Астрель, 2008. – 336 с.
2. https://ru.wikipedia.org/wiki/Диэлектрическая_проницаемость – Диэлектрическая проницаемость.
3. http://old.mkgt.ru/files/material-static/practicum/teoriya/t1.htm – Методы представления графических изображений.
4. http://www.valinfo.ru/forum/index.php?showtopic=2574 – Лапшинский В.А. Семинар «Задачи преследования и их моделирование».
Для заметок
|