Аннотация
В этой работе рассказывается о памяти в целом, а также показан ее путь от обычной, аналоговой, до «разумной» памяти с ее элементной базой на примере мемристоров. Такие объекты имеют непосредственное отношение к наноинженерии и дальше, в частности, к компьютерам. В приложении содержатся дополнительные рисунки, таблицы и информация, сопряженная с данной в реферате, а также небольшой теоретический тест.
В работе: рисунков 18, таблиц 1, страниц 24, источников 12.
Глоссарий терминологии, сокращения и обозначения.
Нанотехнология (НТ) ‒ это область фундаментальной и прикладной науки и техники, имеющая дело с совокупностью теоретического обоснования, практических методов исследования, анализа и синтеза, а также методов производства и применения продуктов с заданной атомной структурой путём контролируемого манипулирования отдельными атомами и молекулами.
Наноинженерия (НИ) ‒ научно-практическая деятельность человека по конструированию, изготовлению и применению наноразмерных (наноструктурированных) объектов или структур, а также объектов или структур, созданных методами нанотехнологий.
АЗУ ‒ (англ. CAM – Content-Addressable Memory) ассоциативное запоминающее устройство, информация из которого извлекается не по адресу, а по некоторым признакам, содержащимся в запросе.
Мемристор ‒ (англ. memristor, от memory ‒ память, и resistor ‒ электрическое сопротивление) ‒ пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекавшего через него заряда (интеграла тока за время работы). Является элементом памяти.
ИМС ‒ интегральная микросхема. Это микроэлектронное устройство ‒ электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.
Криотрон ‒ это устройство, использующее свойства сверхпроводимости.
Трансфлюктор ‒ запоминающий элемент цифровых вычислительных машин, перераспределяющий магнитные потоки. Основным преимуществом является уменьшение влияния магнитных силовых линий сердечника на индуктивность обмотки.
Биакс ‒ (от лат. bis ‒ дважды, лат. axis ‒ ось) ‒ ферритовый запоминающий элемент с разветвленным магнитопроводом, в котором магнитные потоки замыкаются вокруг двух взаимно перпендикулярных отверстий с пересекающимися осями. В отличие от ферритовых колец, элемент позволяет многократно считывать записанную информацию без её разрушения.
Тонкая магнитная пленка ‒ поли- или монокристаллический слой ферромагнитного металла, сплава или магнитного окисла (феррита и др.) толщиной от 0,01 до 10 мкм. Находит применение в качестве запоминающих элементов в вычислительной технике и индикаторов при физических исследованиях.
АП ‒ ассоциативная память.
ЭП ‒ элемент памяти.
Биполярный транзистор ‒ трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей ‒ электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.
Кэш-память ‒ (англ. cache, от фр. cacher ‒ «прятать») ‒ промежуточный буфер с быстрым доступом, содержащий информацию, которая может быть запрошена с наибольшей вероятностью. Доступ к данным в кэше осуществляется быстрее, чем выборка исходных данных из более медленной памяти или удаленного источника, однако её объём существенно ограничен по сравнению с хранилищем исходных данных.
RAM – запоминающее устройство с произвольным доступом (сокращённо ЗУПД), также запоминающее устройство с произвольной выборкой (сокращённо ЗУПВ; англ. Random Access Memory, RAM) – один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке (всегда за одно и то же время, вне зависимости от расположения) по её адресу на чтение или запись.
PPM – миллионная доля.
Бит – единица измерения информации.
Трит – логарифмическая единица измерения в теории информации, минимальная целая единица измерения количества информации источников с тремя равновероятными сообщениями. Энтропию в 1 трит имеет источник информации с тремя равновероятными состояниями. Проще говоря, по аналогии с битом, который «уменьшает незнание» об исследуемом объекте в два раза, трит «уменьшает незнание» в три раза. Один трит равен log23 (около 1.58496) битам информации.
Квантовый хаос – (англ. quantum chaos, нем. Quantenchaos) – в физике: динамика квантовых систем, являющихся хаотическими в классическом пределе.
Кромка хаоса – проще говоря, приближение в ходе наноинженерных решений к таким микроскопическим объектам, которые подвластны квантовому взаимодействию непосредственно элементов материи: появляется коллективное взаимодействие. Суть проблемы в непредсказуемости свойств объектов, в которых такое взаимодействие проявляется особенно сильно.
|