Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

А
Алферов, Жорес Иванович
(Alferov, Zhores Ivanovich)

Жоре́с Ива́нович Алфёров (род. 15 марта 1930, Витебск Белорусская ССР, СССР) — российский физик, автор фундаментальных исследований и практических разработок в области полупроводниковых гетероструктур, электронные свойства которых обусловлены сочетанием различных полупроводников. Основоположник научной школы, создавшей новое направление — гетеропереходы в полупроводниках. Сторонник активного развития нанотехнологий в России. В 2000 г. разделил с немецким физиком Гербертом Кремером (Herbert Kroemer) Нобелевскую премию по физике за разработку полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной электроники и оптоэлектроники. Лауреат Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984) и Государственной премии России (2001) за фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе.

Б
Барьер Шоттки
(Schottky barrier)

Барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твердого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника.
Назван по имени немецкого ученого В. Шоттки (W. Schottky), исследовавшего такой барьер в 1939 г. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода φ, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Напротив, при сближении полупроводника p-типа с металлом, обладающим меньшей φ, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно. При установлении равновесия между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов. Из-за большой электропроводности металла электрическое поле в него не проникает, и разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрического поля в этом слое таково, что энергия основных носителей заряда в нем больше, чем в толще полупроводника. В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом возникает потенциальный барьер.

Литература
1. Шотки барьер. Физическая энциклопедия. Т. 5 / Гл. ред. А.М. Прохоров. — М.: Советская энциклопедия, 1988. С. 467.
2. Полупроводниковые преобразователи; Нанометр, 2009. — http://www.nanometer.ru/2009/04/08/preobrazovatel_barer_shottki_diod_shottki_153822.html (дата обращения: 30.04.2011).

Ж
Журналы и ресурсы интернет по наноэлектронике
(Magazines and Internet resources for nanoelectronics)

Несмотря на то, что наноэлектроника – это довольно-таки молодая отрасль науки, на данный момент существует достаточно большое количество как печатных изданий, так и интернет ресурсов посвящённых этому, уже самостоятельному, разделу электроники.
Печатные издания не так распространены как интернет ресурсы, но всё-таки есть очень интересные издания, такие как: ежемесячный журнал «Материалы для микро- и наноэлектроники», «Нанотехнологии: разработка, применение» и журнал «Российские нанотехнологии».