Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

Меню сайта
Категории раздела
Рефераты (курсы КП, ПК, ИТ и Сети) [95]
Рефераты по курсу "Компьютерный практикум", "Применение персональных компьютеров", "Информационная техника" и "Сети ПК" в НИЯУ МИФИ
Аналитика (курсы КП, ПК, ИТ и Сети) [1]
ТЗ учебных проектов [7]
Виртуальные калькуляторы [2]
Пресс-релизы [4]
Материалы по итогам учебных проектов
Наш опрос
Оценка сайта нано-е.рф
Всего ответов: 58
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Главная » Статьи » Публикации студентов МИФИ » Рефераты (курсы КП, ПК, ИТ и Сети)

Азбука наноэлектроники
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ

ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

МОСКОВСКИЙ ИНЖИНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

(НИЯУ МИФИ)

Факультет автоматики и электроники, группа А4-11

Азбука наноэлектроники от А до И

Студент Стариков А.В.

rooley@mail.ru

Преподаватель доц. Лапшинский В. А.

Москва 2011

А
Алферов, Жорес Иванович
(Alferov, Zhores Ivanovich)

Жоре́с Ива́нович Алфёров (род. 15 марта 1930, Витебск Белорусская ССР, СССР) — российский физик, автор фундаментальных исследований и практических разработок в области полупроводниковых гетероструктур, электронные свойства которых обусловлены сочетанием различных полупроводников. Основоположник научной школы, создавшей новое направление — гетеропереходы в полупроводниках. Сторонник активного развития нанотехнологий в России. В 2000 г. разделил с немецким физиком Гербертом Кремером (Herbert Kroemer) Нобелевскую премию по физике за разработку полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной электроники и оптоэлектроники. Лауреат Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984) и Государственной премии России (2001) за фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе.


Литература
1. Алферов Ж.И. Общая информация; РАН, 2007. — http://www.ras.ru/win/db/show_per.asp?P=.id-19.ln-ru (дата обращения: 30.04.2011).
2. ФТИ им. Иоффе РАН. Разработка и сопровождение ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2005–08. — http://www.ioffe.ru/index.php?row=3&subrow=3 (дата обращения: 30.04.2011).

Б
Барьер Шоттки
(Schottky barrier)

Барьер Шоттки — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твердого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника.
Назван по имени немецкого ученого В. Шоттки (W. Schottky), исследовавшего такой барьер в 1939 г. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода φ, металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Напротив, при сближении полупроводника p-типа с металлом, обладающим меньшей φ, металл заряжается положительно, а полупроводник — отрицательно. При установлении равновесия между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов. Из-за большой электропроводности металла электрическое поле в него не проникает, и разность потенциалов создается в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрического поля в этом слое таково, что энергия основных носителей заряда в нем больше, чем в толще полупроводника. В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом возникает потенциальный барьер.


В реальных структурах металл–полупроводник соотношение не выполняется, так как на поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрической прослойке, часто образующейся между металлом и полупроводником, обычно имеются локальные электронные состояния.
Барьер Шоттки обладает выпрямляющими свойствами. Ток через него при наложении внешнего электрического поля создается почти целиком основными носителями заряда. Контакты металл — полупроводник с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах.

Литература
1. Шотки барьер. Физическая энциклопедия. Т. 5 / Гл. ред. А.М. Прохоров. — М.: Советская энциклопедия, 1988. С. 467.
2. Полупроводниковые преобразователи; Нанометр, 2009. — http://www.nanometer.ru/2009/04/08/preobrazovatel_barer_shottki_diod_shottki_153822.html (дата обращения: 30.04.2011).

Ж
Журналы и ресурсы интернет по наноэлектронике
(Magazines and Internet resources for nanoelectronics)

Несмотря на то, что наноэлектроника – это довольно-таки молодая отрасль науки, на данный момент существует достаточно большое количество как печатных изданий, так и интернет ресурсов посвящённых этому, уже самостоятельному, разделу электроники.
Печатные издания не так распространены как интернет ресурсы, но всё-таки есть очень интересные издания, такие как: ежемесячный журнал «Материалы для микро- и наноэлектроники», «Нанотехнологии: разработка, применение» и журнал «Российские нанотехнологии».


Наиболее известными интернет ресурсами являются:
1. «Nanonewsnet» – сайт о нанотехнологиях №1 в России. —
http://www.nanonewsnet.ru
2. «Российский электронный наножурнал». —
http://www.nanorf.ru
3. «Nanotech» – информационно-образовательный ресурс по нанотехнологиям. — http://www.nanotech.ex6.ru
4. «Нанотехнологии и наноматериалы в России: официальный сайт потребителей нанотоваров и наноуслуг». — http://www.nanoware.ru
5. «Нанотехнологии. Научно-информационный портал по нанотехнологиям». — http://www.nano-info.ru
6. Официальный сайт ОАО «РОСНАНО». — http://www.rusnano.com
7. «Нанотехнология и всё что с ней связано». — http://www.nanoindex.ru
Категория: Рефераты (курсы КП, ПК, ИТ и Сети) | Добавил: Rony (23.05.2011) | Автор: Стариков Андрей
Просмотров: 1333 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Форма входа
Поиск
Друзья сайта