Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Факультет автоматики и электроники

Реферат по курсу

Локальные сети ПК

На тему

«Радиационно-стойкая электронная база (SpaceWire)»

Выполнили студенты группы А9-11:

Дергачев А.С.

Назаренко А.Е.

Преподаватель: доц. Лапшинский В.А.

Москва 2015

СОДЕРЖАНИЕ

1.Введение………………………………………………………………………………………..3

2.SpaceWire……………………………………………………………………………………....4

            2.1.Применение технологии SpaceWire…………………………………………....4

            2.2. Отечественная элементная база для SpaceWire…………………….……..5

3. Повышение стойкости интегральных схем……………………………………………...9

            3.1 Способы обеспечения радиационной стойкости………………………….....9

            3.2 Механизмы воздействия радиации…………………………………………...12

            3.3 RHBD-методы……………………………………………………………………..16

4.Дальнейшие перспективы развития космической аппаратуры………………….......18

5.Заключение………………………………………………………………………………...…21

6.Литература…………………………………………………………………………………....22

1. Введение

От момента создания колеса и до наших дней прошло много лет. За это время человек успел создать много различных вещей и технологий, расселиться по всей земле, построить космическую станцию и даже отправить туда людей. Всё это не может не вызывать восхищение, и тем не мение прогресс не стоит на месте. Поэтому в настоящее время производится создание различных систем, обеспечивающих бесперебойную работу в космических условиях.

Одной из таких систем является телекоммуникационная сеть Space wire. Эта сеть обеспечивает бортовую коммуникацию на космической станций, а так как станция находится в открытом космосе, где существует много вредоносных факторов, необходимо разработать стойкие к различным космическим факторам компоненты, большую часть которых составляют интегральные микросхемы.

Поэтому основной темой реферата является описание современных интегральных микросхем, способных работать в условиях космического воздействия.

2. SpaceWire

                2.1 Применение технологии SpaceWire

SpaceWire - телекоммуникационная сеть для космических аппаратов, которая позволяет строить высокоскоростную коммуникационную инфраструктуру для всех видов бортовых коммуникаций, таких как передача высокоскоростных цифровых сигналов между источниками/приемниками сигналов, процессорами цифровой обработки и устройствами отображения; обмен данными между вычислительными модулями параллельных вычислительных систем или распределенных вычислительных комплексов (КБО); сбор информации с сенсорных полей и других первичных источников информации в КБО; распределение меток времени в КБО, сигналов реального времени и прерываний [1].

Сеть SpaceWire способна заменить множество отдельных разнородных сетей на борту летательного или космического аппарата, создав единую коммуканиционную инфраструктуру на базе единых технических и программных средств. Это возможно не только благодаря высоким скоростям каналов – линков SpaceWire. SpaceWire отличает и ряд важных архитектурных особенностей:

• Высокоскоростная коммутация пакетов с «червячной маршрутизацией» (низкие задержки, высокая пропускная способность);
• Гибкость и маршрутизируемость сети (без ограничений на топологию);
• Многообразие методов маршрутизации (от простого указания пути в заголовке пакета до адаптивной маршрутизации с регионально-логической адресацией);
• Сковозное встраикание управляющих кодов в стек протоколов (независимость прохождения кодов управления и тайм-кодов от загруженности каналов и коммутаторов данными);
• Малозатратность реализации SpaceWire в СБИС, компактность, низкое энергопотребление и устойчивость к помехам и сбоям.

Вот почему технологию SpaceWire активно применяют в разработках национальных космических агентств Европейского союза, США, Японии и Канады. Федеральное космическое агенство РФ также приняло принципиальное решение о применении технологии SpaceWire в российской космической отрасли и об участии в деятельности международной рабочей группы по дальнейшему развитию и применению SpaceWire.

            2.2 Отечественная элементная база для SpaceWire

Элементная компонентная база (ЭКБ) для реализации SpaceWire разработана рядом фирм, ориентирующихся на рынок аэрокосмической техники. В Европе основные разработчики – Европейское отделение компании Atmel, EADS,Alcatel, Saab и Austrian Aeroflex, BAE System, Lockheed Martin.

В России ЭКБ для SpaceWire разработана компанией ГУП НПЦ «ЭЛВИС» и ее партнерами, прежде всего – ЗАО НПЦ «Микропроцессорные технологии (МиТ)», при участии дизайн-центров ЗАО ЦП «Ангстрем - СБИС» и ЗАО «Ангстрем-М». Уже разработан первый отечественный комплект микросхем SpaceWire для аэрокосмического применений «Мультиборт», который можно эффективно использовать и для других встраиваемых систем.

            Комплект включает две процессорные СБИС «Мультикор» - спецстойкий двухъядерный процессор обработки сигналов MC-24R и переферийный контроллер МСТ-01 со встроенными SpaceWire-контроллерами. Кроме того, в состав комплекта вошли СБИС сопряжения с сетью SpaceWire – многоканальный коммутатор пакетной передачи данных 1892ХД2Я и многоканальный адаптер пакетной передачи данных 1892ХД1Я. В «Мультиборт» включена и СБИС спецстойкого СОЗУ емкостью 4 Мбит. Напряжение питания микросхем 3,3/2,5 В (периферия/ядро). СБИС комплекта спроектированы как ASIC КМОП СБИС по технологическим нормам 0,25 мкм, с пятью слоями металлизации. Учитывая специфику применения, ряд СБИС обладает повышенной радиационной стойкостью. Она обеспечина архитектурными решениями, методами «Rad Hard By Design», а также применением при проектировании специальных спецстойких библиотек.

1. СБИС MC-24R (рис.1) – модификация серийного сигнального процессора МС-24 серии “Мультикор”, оснащенного двумя контроллерами SpaceWire. Они обеспечивают обмен данными по дуплексным каналам SpaceWire (2 канала) со скоростью 2–400 Мбит/c в канале (в каждую сторону). MC-24R может подключаться непосредственно к коммутатору SpaceWire 1892ХД2Я (МСK-01) или напрямую сопрягаться с любыми другими микросхемами с каналами SpaceWire.

Рис.1 СБИС сигнального контроллера MC-24R

2. Периферийный контроллер МСТ-01 (рис.2) разработан совместно с ФГУП “МНИИ “АГАТ” (г. Жуковский). Это – RISC-микроконтроллер (MIPS32-совместимой архитектуры со встроенным 64-битным аккумулятором с плавающей точкой), оснащенный двумя SpaceWire-контроллерами, что позволяет напрямую сопрягать его с сетью SpaceWire. Первые тестовые образцы МСТ-01 уже верифицированы с зарубежной реализацией стандарта SpaceWire. В состав СБИС могут войти АЦП/ЦАП (9–13бит; 1 МГц), но эта опциональная возможность уточнится после завершения тестирования СБИС.

​

Рис.2 Перферийный контроллер МСТ - 01

3. Многоканальный адаптер (контроллер) пакетной передачи данных MCB-01 (MultiCore Bridge) (рис.3) предназначен для сопряжения со средой SpaceWire устройств без встроенных контроллеров SpaceWire. Он обеспечивает сопряжение с линками SpaceWire (4 канала) через универсальный параллельный интерфейс c протоколом асинхронной статической памяти (типа MPORT сигнальных микроконтроллеров семейства “Мультикор”), а также через шину PCI (в режиме Slave для MCB-01). Интерфейс PCI поддерживает как 64-, так и 32-разрядный режим при частоте 33 или 66 МГц. СБИС также содержит двухпортовое статическое ОЗУ (DPRAM) объемом 2 Мбита, доступное для программ пользователей.

Рис.3 Многоканальный адаптер пакетной передачи данных 1892ХД1Я (МСВ-01)

4. Многоканальный коммутатор пакетной передачи данных МСК-01 – это однокристальный 16-канальный маршрутизирующий коммутатор пакетной передачи данных по дуплексным последовательным высокоскоростным каналам в соответствии со стандартом SpaceWire (рис.4). MCK-01 на аппаратном уровне реализует маршрутизацию типа «червячный ход» со всеми методами адресации, предусмотренными стандартом SpaceWire. СБИС обеспечивает коммутацию пакетов «на лету» между 16 каналами. Приемник МСК-01 в каждом из каналов автоматически адаптируется к скорости передатчика. На физическом уровне поддержан протокол LVDS (стандарт ANSI/TIA/EIA-644). MCK-01 позволяет строить коммуникационные сети диаметром от 20 м (с одним коммутатором) до 100 м и более (распределенные коммуникационные структуры с MCK-01 в качестве сетевых узлов).

Конфигурационный порт MCK-01 реализован на базе встроенного процессора, позволяющего организовать детальную обработку ошибочных ситуаций, динамический подбор скоростей передачи, мониторинг и администрирование работы МСК-01 и коммуникационных сетей на их основе. Встроенный процессор также допускает прямое подключение к МСК-01 внешней памяти (к примеру, SDRAM) гигабайтной емкости. MCK-01 функционирует и под управлением внешнего процессора, подключенного через параллельный 32-разрядный порт памяти (MBA). В этом случае действия внутреннего и внешнего процессоров согласуются программно, посредством внутренней памяти (ОЗУ пакетов конфигурационного порта), а также регистров состояния коммутатора. Каждый из процессоров может выполнять функции терминального узла сети SpaceWire.

Рис.4 Маршрутизирующий коммутатор пакетной передачи данных 1892ХД2Я (МСК- 01)

Большинство СБИС для аэрокосмических применений предполагается серийно выпускать в радиационно-стойком исполнении. Кроме того, комплект “Мультиборт” планируется расширить многоканальным цифровым или цифро-аналоговым приемником, также со встроенным SpaceWire-контроллером. Прототип такой микросхемы (без дополнительной радиационной стойкости и встроенного SpW-контроллера) уже реализован в виде одной из СБИС серии “Мультифлекс” - 1288ХК1T(МF01) [3].

3.ПОВЫШЕНИЕ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Очень часто устройства аэрокосмических систем должны работать в жесткой радиационной среде, способной нарушить или прервать (иногда окончательно) их работу. Аэрокосмические и военные системы особо чувствительны к воздействию тяжелых ионов и протонов, тогда как для наземных приборов опасны высокоэнергетические нейтроны и альфа-частицы. Для околоземных орбитальных спутников общий уровень радиации, определяющий выживаемость электронной аппаратуры, является функцией высоты и наклона орбиты, а также срока службы спутника.

Чтобы противостоять радиации, вызванной гамма-лучами, протонами, нейтронами, электронами и некоторыми видами тяжелых ионов, конструкторы военных, авиационных и космических систем должны установить механизмы воздействия радиации на используемые в системе микросхемы и определить их конструктивные решения, которые позволят смягчить это воздействие. При этом принятые решения должны быть совместимы с типичной полупроводниковой технологией с тем, чтобы микросхемы могли выпускать промышленные предприятия.

            3.1 Способы обеспечения радиационной стойкости

Считается, что основная радиационная угроза современным электронным приборам – это единичные события (Single Event Effects, SEE), вызванные воздействием высокоэнергетических частиц. Вносимые в результате единичного события неисправности делятся на устойчивые (hard error) и исправимые (soft error) отказы (рис.5). Неисправности электронных устройств в результате радиационного воздействия могут быть обусловлены их конструкцией, рабочей средой, назначением, затраченными на их создание средствами и т.п.

Рис.5 Виды радиционных воздействий, приводящих к устойчивым и исправимым отказам

Наиболее часто исправимые отказы, рассматриваемые как одиночные сбои, проявляются в изменении логического состояния элемента или логического выхода, т.е. в изменении импульсного переходного процесса комбинационной логической схемы. Неисправности этого типа могут возникнуть не только в логике, но и в блоках управления и блоках памяти (в основном СОЗУ). Для устранения вероятности одиночного сбоя разработчики располагают множеством методов помимо простого отбора прибора с встроенной радиационной стойкостью или периодического восстановления его исходного состояния. Единичные события могут вызвать нестационарные токи малой длительности и большой амплитуды, которые способны разрядить узлы системы, приводя к потере информации или инициированию режима защелкивания, и тем самым – к катастрофическому (устойчивому) отказу.

"Серебряной пули", пригодной для устранения любого воздействия рабочей среды, нет. Чтобы обеспечить радиационную стойкость конкретного проектируемого устройства, необходимо знать, где и как оно будет использоваться. Так, большинство разработчиков космических систем основное внимание уделяют обеспечению стойкости к накопленной радиационной дозе, тогда как при создании приборов для наземных приложений этот показатель не столь важен. При этом следует учитывать, что по мере уменьшения топологических норм микросхем, увеличения их быстродействия и сложности радиация вызывает новые эффекты, которые начинают доминировать в схеме. В результате для реализации варианта микросхемы с повышенной радиационной стойкостью нужно устанавливать чувствительность проектируемой системы ко всем потенциальным радиационным угрозам и совершенствовать операции смягчения их воздействия.

Обеспечение радиационной стойкости проектируемых электронных приборов должно быть предусмотрено уже на первых этапах проектирования прибора, так как это свойство нельзя "добавить" позже. Для выполнения этой задачи необходимо в первую очередь определить механизмы возникновения радиационных эффектов в приборах. Рассмотрим механизмы воздействия радиации, с которыми необходимо "бороться".

            3.2 Механизмы воздействия радиации

            Паразитные утечки по кромке перехода.

В стандартном МОП-транзисторе при ионизирующей радиации под переходом между толстой защитной и тонкой затворной оксидными пленками происходит захват носителей и формирование паразитного транзистора (рис.6). При накопленной дозе в 150 крад (Si) утечки по кромке перехода увеличиваются приблизительно на три порядка по сравнению с их значением до радиации. По мере увеличения накопленной дозы утечка по кромке проводящего канала возрастает, и ток утечки становится почти равным току самого транзистора в открытом состоянии. Возникновение утечки по кромке перехода обычно фиксируется по быстрому росту тока источника питания с увеличением общей накопленной дозы, а также по шунтированию паразитными транзисторами тока исток-сток основного транзистора. И если составной канал n-типа оказывается включенным постоянно, токи утечки могут вызвать функциональную неисправность.

Рис. 6 Поперечное сечение МОП - транзистора

            Утечки подзатворного оксида.

Другой механизм воздействия общей накопленной ионизационной дозы, приводящей к утечке, связан с инверсией проводимости области под оксидом затвора и появлением канала утечки. Инверсия проводимости – основная причина неисправности многих промышленных микросхем. Так, если до облучения для инверсии проводимости и образования канала утечки требовалось напряжение в 15 В, то при накопленной дозе 10 крад (Si) значительный ток утечки появлялся при напряжении 5 В. При накопленной дозе в 30 крад (Si) микросхема уже находилась в нерабочем состоянии. Неисправность возникает вследствие значительного превышения током источника питания, а также входными и выходными токами утечки значений, приведенных в технических условиях, или вследствие катастрофической функциональной неисправности. Значительный рост статического тока источника питания в результате увеличения накопленной ионизационной дозы – показатель инверсии области под оксидом затвора.

Возможны два типа каналов утечки, формируемых в результате радиации в области p-типа под оксидом затвора n-канального транзистора. Первый тип возникает между карманом стока n-типа (напряжение которого, как правило, равно напряжению стока Vdd) и истоком n+-типа (напряжение которого равно Vss). Второй тип образуется в результате перекрытия промежутка между n+-областями стока/истока соседних n-канальных транзисторов. Для устранения вероятности образования такого канала необходим промежуточный ограничитель канала – область с высокой концентрацией примеси p-типа, имплантируемой в кремний под оксидом, что затрудняет ее инверсию и эффективно предотвращает формирование канала утечки (рис.7). При таком подходе значительно увеличивается расстояние между соседними n+-областями и между n-карманом и n+-областями. Тем не менее, этот метод эффективно ограничивает канал утечки.

Рис.7 Имплантируемый p+ - ограничитель канала, располагаемый под разделительным слоем оксида

            Тиристорный эффект или "защелка" (SEL).

Серьезная проблема КМОП-микросхем при облучении высокоэнергетическими частицами и протонами – включение присущего структуре такой микросхемы паразитного p-n-p-n-тиристора, что может привести к защелкиванию канала и вызвать катастрофический отказ схемы (рис.8).

Рис.8 Защелкивание КМОП – структуры, выполненной на эпитаксиальной подложке р-типа

При нормальном смещении микросхемы потенциал подложки p-типа самый низкий, а кармана n-типа – самый высокий. Ни один из переходов p-n-p-n-структуры тиристора не смещен в прямом направлении, и он отключен. Однако ионизирующее воздействие одиночной высокоэнергетической частицы может вызвать переходной ток, который инжектирует заряд в области катодного или анодного управляющего электрода тиристора. Падение напряжения, вызываемое током, протекающим к контакту кармана или подложки, может оказаться достаточным для прямого смещения перехода тиристора, что приводит к включению биполярного транзистора, работающего с положительной обратной связью и поддерживающего ток в канале защелкивания. Этот канал проводит ток до тех пор, пока его напряжение не станет меньше напряжения тиристора в открытом состоянии, обычно равного Vбэ(вкл.) + Vкэ(нас.). Поскольку общее сопротивление канала невелико и он часто возникает между соседними контактами Vdd и Vss, ток может быть достаточно большим, чтобы выжечь металлизацию и, тем самым, привести к катастрофическому отказу.

            Одиночные сбои (SEU)

Наиболее распространенные и наименее опасные результаты ионизирующего воздействия. Одиночный сбой – это результат появления при ионизации в важном узле микросхемы (микропроцессоре, полупроводниковой памяти или мощном транзисторе) свободного носителя, вызывающего изменение состояния этого чувствительного к воздействию ионов или электромагнитному излучению узла. Неисправность, вызванная единичным событием, не приводит к серьезному ухудшению функционирования микросхемы и рассматривается как исправимая ошибка. Исследования показали, что число одиночных сбоев микросхемы, подвергающейся ионизирующему воздействию, растет с увеличением объема ее блока памяти, а поскольку объем запоминающих устройств микросхем непрерывно растет, растет и число регистрируемых одиночных сбоев.

            3.3 RHBD-методы

            RHBD аналоговых схем

Традиционные конструктивные методы повышения радиационной стойкости аналоговых схем предусматривают увеличение задающего тока ключевых узлов (обычно за счет увеличения ширины транзистора), применение дополнительного конденсатора в чувствительном к радиации узле схемы, а также фильтра нижних частот и резервирования. Увеличение задающего тока оказывается достаточным для минимизации влияния генерируемого заряда и ослабления случайных сбоев переключения SET. Дополнительный конденсатор предназначен для формирования низкочастотного фильтра, который задерживает переключение узла на период, достаточный для рекомбинации зарядов, генерированных ионами. Основные недостатки этих методов – повышение энергопотребления и ухудшение быстродействия, соответственно. Вот почему фильтрация, как правило, не рассматривается как способ повышения радиационной стойкости микросхем.

            RHBD цифровых схем

Техника RHBD цифровых схем включает рассеяние заряда и резервирование. Рассеяние заряда предусматривает увеличение отношения ширины к длине транзисторов, добавление в схему конденсатора (что нежелательно для быстродействующих микросхем средств связи) и/или развязывающих резисторов или вспомогательных транзисторов. Эти методы в общем случае снижают быстродействие схемы и приводят к увеличению ее площади.

Резервирование позволяет копировать информацию с целью ее сохранения после облучения схемы. Повышение стойкости к одиночным сбоям с помощью методов резервирования схемной конструкции основано на трех принципах:

• резервное хранение информации за счет наличия ячейки хранения неискаженных после единичного события данных;
• обратная связь ячейки хранения исправных данных может способствовать восстановлению поврежденных данных после удара частицы;
• "разумность" меры обратной связи, необходимой для восстановления соответствующей ячейки, должна быть основана на том, что ток, возникший в результате удара ионизирующей частицы, протекает от диффузионной области n-типа к области p-типа.

Самый распространенный сегодня метод – тройное модульное резервирование (TMR), заключающийся в подключении к схеме голосования трех копий критических блоков микросхемы, присоединенных к одной тактовой шине и шине данных. Cхема голосования, или принятия решения по большинству голосов, функционирует на основе положения, что только одна копия логического блока будет поражена. Данные схемы должны периодически обновляться, чтобы гарантировать присутствие ошибок только в течение одного тактового цикла и не задерживать будущие голосования. Для повышения эффективности метода транзисторы в логических блоках должны быть размещены раздельно с тем, чтобы ионизирующее облучение не воздействовало на несколько узлов. Избыточная площадь при использовании TMR – основной недостаток метода [2].

4 ДАЛЬНЕЙШИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ КОСМИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ

В области нанотехнологий в США под эгидой НАСА была разработана программа развития нанотехнологий и создания наноматериалов для аэрокосмической техники. Структура этой программы представлена на рисунке 9. Ее основными разделами, которые показаны в нижней части рисунка, являются наноматериалы, элементы бортовой электроники, сенсоры различного назначения и нанокомпоненты оборудования КА. В верхней части рисунка указаны возможности, открываемые применением новых материалов и элементов.

Рис. 9 Программа НАСА развития нанотехнологий

Анализ этих и других имеющихся данных позволяет сделать прогноз развития космических технологий, представленный на рис. 10. На этом рисунке горизонтальная шкала отражает рост потенциальных возможностей космических систем на разных временных этапах, а движение вверх по вертикальной шкале показывает повышение уровня сложности и интеграции систем. Каждый новый шаг по шкале времени, приведенной в верхней части рисунка, предполагает появление более сложных нанообъектов, а также возникновение и развитие новых областей знаний и технологий или функций.

Рис. 10 Прогноз развития космических нанотехнологий

Как можно видеть из приведенной прогностической схемы, в ближайшие годы ожидается появление и даже начало практического применения нескольких классов наноматериалов. Прежде всего, речь идет о новых конструкционных материалах на основе наночастиц и нанотрубок, которые позволят резко снизить вес КА без ущерба для его прочности. Другим успешно развиваемым направлением является наноэлектроника с использованием УНТ и иных наноструктур. В дальнейшем планируется создание стойких к воздействию космической радиации молекулярных компьютеров и биокомпьютеров, реализация известного проекта строительства «космического лифта» на основе сверхпрочного троса протяженностью от земной поверхности до геостационарной орбиты, разработка биосенсоров, использующих эффект «молекулярного распознавания», создание сенсорных сетей для диагностики состояния среды в окрестности Земли и других планет, а также систем нанороботов, способных выполнять масштабные работы, в том числе направленные на улучшение окружающей среды.

Достаточно серьезное внимание уделяется фундаментальным исследованиям процессов самосборки наноструктур и наноустройств, применению УНТ в космических технологиях, а также созданию наноэлементов для оптики и фотоники. На рассматриваемом временном интервале до 2035 г. предполагается непрерывное совершенствование основных систем КА за счет применения нанотехнологий и наноматериалов.

Существенное позитивное влияние на дальнейшее развитие и совершенствование космической техники с применением наноматериалов и наносистем может оказать широкое внедрение так называемых CALS-технологий, представление о которых возникло в первой половине 1980-х гг. Это непрерывная информационная поддержка жизненного цикла изделий с использованием компьютерных методов. Внедрение CASL-технологий предполагает создание интегрированной информационной среды, обеспечивающей единообразное основанное на применении стандартов и нормативных документов управление процессами проектирования, производства и эксплуатации технически сложных наукоемких изделий, к которым, безусловно, относятся изделия ракетно-космической техники. Очевидно, что роль такого подхода будет возрастать по мере расширения номенклатуры используемых в космической технике наноматериалов и наноустройств и построенных на их основе систем. Работы по созданию нанотехнологий и наноматериалов для космической отрасли включены в «Федеральную космическую программу» [5]

5.ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Современная электроника развивается бурными темпами. На сегодняшний день она позволяет создавать микросхемы, способные обеспечивать бесперебойную работу различных систем в комическом пространстве. Благодаря этому мы можем проводить исследование космоса, такие как полет зондов, к другим планетам или возможный (в скором времени) полет человека на Марс.

Поэтому радиционной электронике уделяется большое внимание. И кто знает, какие ещё идеи будут придуманы и реализованы в этой отрасли.

6. Литература

1. https://ru.wikipedia.org/wiki/SpaceWire
2. Л.Мироненко, В.Юдинцев. Повышение радиационной стойкости интегральных схем. Конструктивные методы на базе промышленной технологии. - http://www.electronics.ru/journal/article/3513
3. Т.Солохина, Я.Петричкович, Ю.Шейнин. Технология SpaceWire для параллельных систем и бортовых распределенных комплексов. - http://www.electronics.ru/journal/article/759
4. Осипенко П. Микропроцессоры для космических применений, 2014
5. Новиков Л.С., Воронина Е.Н. Перспективы применения наноматериалов в космической технике, 2008