Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

Флеш-память (энергонезависимая память) может хранить информацию определенное время после отключения от источника питания. Во многих устройствах бытовой электроники (цифровые камеры, mp3-проигрыватели) применяются кремниевые компоненты флеш-памяти.

Создание гибких органических деталей для энергонезависимой памяти представляет собой непростую задачу. Физическая основа флеш-памяти – плавающий затвор, представляющий собой проводимый компонент транзистора, полностью внедренный в изолирующий материал. При небольшой толщине слоя изолятора приложение высокого значения электрического потенциала позволяет перенести к плавающему затвору электрический заряд (природа такого переноса до сих пор дискутируется – в его объяснении ряд исследователей оперируют концепцией квантового туннелирования, а ряд – явлением термической эмиссии).

Изолированные плавающие затворы могут сохранять заряд в течение длительного времени (для компонентов электроники на основе кремния это могут быть годы) пока заряд не будет «стерт» приложением противоположного по знаку электрического потенциала. Локализация заряда в плавающем затворе влияет на электронные свойства транзистора.

Сложность в создании органических систем такого рода заключается в том, что необходимо подобрать материал достаточно удачный для создания диэлектрического слоя (из такого материала необходимо сделать достаточно тонкий диэлектрический слой для возможности переноса заряда к плавающему затвору), но при этом необходимо иметь возможность его обработки при относительно низкой температуре для того, чтобы не расплавить полимерный субстрат-подложку для сборки органических транзисторов.

Гибкий органический транзистор с плавающим затвором

Сроки завершения работ над прототипом пока не известны. Возможно, такой чип мы увидим в новой платформе для ноутбуков, которая появится в начале 2008 года.

Ученые IBM открыли новую микропроцессорную технологию, которая объединяет на одном кристалле кремния электронные и оптические устройства. Эта технология позволит осуществлять коммуникацию микросхем в компьютере с помощью световых импульсов вместо электрических сигналов, что приведет к такому уменьшению размеров, увеличению скорости и производительности, которого невозможно было достичь с помощью обычных технологий.

Новая технология, названная CMOS - Интегральная Кремниевая Нанофотоника, - результат десятилетних разработок лабораторий Всемирных Исследований IBM. Запатентованная технология изменит способ связи компьютерных микросхем с помощью интегрирования оптический устройств прямо в кремниевый чип. Это позволит сделать в плотность интеграции в 10 раз больше, чем это позволяют текущие технологии.

IBM предвидит, что кремниевая нанофотоника поразительно увеличит скорость и характеристики взаимодействия между чипами, что позволит осуществить программу «Exascale computing» - создание суперкомпьютера с производительностью приблизительно в 1000 раз выше, чем у существующих систем петафлопсного диапазона.