Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

Меню сайта
Категории раздела
Наш опрос
Оцените сайт олимпиады
Всего ответов: 121
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Главная » 2009 » Май » 21 » Создан полевой транзистор n-типа из графеновой наноленты
Создан полевой транзистор n-типа из графеновой наноленты
19:14
Эти результаты имеют большое значение, поскольку открывают путь к созданию высокоскоростных компьютерных микросхем меньшего размера. Такие микросхемы позволят более эффективно работать с большими файлами и передавать информацию в линиях связи.

Исследовательская группа, объединившая специалистов из Университета Флориды, Стэнфордского университета и Ливерморской национальной лаборатории им. Лоуренса разработала технологию легирования графена, которая позволяет создавать на его основе полупроводниковые материалы с электронным типом проводимости.

Результаты исследований только что опубликованы в журнале Science (N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia)

По словам Йин Гуо (Jing Guo), адъюнкт-профессора Университета Флориды и одного из ведущих участников исследований, задача образования графеновых полупроводников p-типа была решена довольно давно, и ученым из межуниверситетской команды пришлось искать абсолютно новые способы модифицирования графена. Перспективы его практического применения во многом определяются тем, насколько доступным и легким будет процесс получения полупроводникового материала n-типа.

В своей работе авторы использовали так называемые графеновые наноленты (узкие полоски, ширина которых не превышает 100 нм). Для придания материалу необходимых свойств он нагревался в присутствии паров аммиака, что приводило к образованию связей между атомами азота и углерода, расположенными по краям ленты. Как сообщают ученые, после такой обработки края нанолент стали более ровными, что должно положительно сказаться на характеристиках будущих полупроводниковых устройств.

Получив материал искомого типа проводимости, исследователи сконструировали на его основе первый в мире графеновый полевой транзистор n-типа, работающий при комнатной температуре. Однако, как считает д-р Гуо, ожидать скорого развертывания промышленного производства подобных транзисторов не стоит, поскольку основным сдерживающим этот прогресс фактором остается цена самого графена.

Основную часть исследований профинансировали Национальный Фонд Научных исследований США, фирма Intel и Департамент Научных исследований ВМФ.

Категория: Наноэлектроника и нанотехнологии | Просмотров: 991 | Добавил: Chrno | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Форма входа
Поиск
Календарь
«  Май 2009  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Архив записей
Друзья сайта