Олимпиада "Наноэлектроника"
Неофициальный сайт

Меню сайта

Категории раздела

"Умная" регенерация и архитектура современных DRAM [17]	DRAM с архитектурой PIM [0]
Ассоциативные процессоры и нейроморфные чипы (на основе АЗУ) [9]	Ассоцитивная память: таксономия, архитектура и элементная база [39]
АЗУ: сервисные функциональные возможности микросхем памяти [5]	Smart and Intelligent memory dies, chips and systems [10]
Естественный и искусственный интеллект на основе Smart and Intelligent Memory [7]	Реконфигурируемые базовые кристаллы памяти [0]
Emerging Memory Devices and Chips. Элементная база памяти [57]	Memory Taxonomy. Классификация памяти [14]
Nanostore. NVM - энергонезависимая память и нанохранилища [9]	Память на основе углеродных материалов: графена, УНТ и т.д. [24]
Мемристорная память [13]	Near Data Processing (NDP), Data-Centric Systems (DCS) [9]
3D HMC + 3D Die-stacked memory. HMC - Hybrid Memory Cube [3]

Наш опрос

Статистика

Онлайн всего: 1

Гостей: 1

Пользователей: 0

Главная » Фотоальбом » "Умная" и "разумная" нанопамять и нанохранилища » "Умная" регенерация и архитектура современных DRAM » 2010 Прогноз по развитию СБИС памяти

2010. Dimension Increase in Metal-Oxide-Semiconductor Memories and Transistors.
Источник: https://www.intechopen.com/books/advances-in-solid-state-circuit-technologies/dimension-increase-in-metal-oxide-semiconductor-memories-and-transistors